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  • 本发明公开了一种提高整体式氧化铝基陶瓷铸型高温强度的方法,属于基于光固化成型技术快速铸造领域。包括:1)用光固化快速成型技术制造树脂模具;2)通过凝胶注模法向涡轮叶片的树脂模具原型中浇注陶瓷浆料得到铸型坯体;3)真空冷冻干燥和脱脂处理后 [详细]
  • 本发明公开了一种基于3DP增材制造技术的碳化硅基陶瓷零件制造方法,本发明利用3DP增材制造技术制造的碳化硅基陶瓷零件经一系列后处理后可得到具有良好高温综合性能的致密零件,同时解决了复杂结构零件制造困难的难题,利用3DP增材技术实现了碳化硅基 [详细]
  • 一种低残硅尺寸和含量的反应烧结碳化硅陶瓷的制备方法,以短碳纤维作为一种缓释碳源,添加碳化硼粉末促进素坯渗硅充分。通过添加质量分数68.2~33.2%的碳化硅粉末,6.8~41.8%的短碳纤维,15%的碳化硼粉末和10%的酚醛树脂为原料,依次进行纤维预 [详细]
  • 本发明公开了一种基于光固化3D打印的SiC陶瓷基涡轮叶片的制造方法,本方法首先基于光固化3D打印技术制造涡轮叶片树脂模具,使用非水基凝胶注模陶瓷浆料浇注叶片树脂模具,经过固化、热解碳化等工艺得到多孔的碳预制件;采用原位反应烧结技术,在142 [详细]
  • 一种基于纤维增强陶瓷先驱体3D打印技术的陶瓷复合材料成形方法。采用3D打印技术,结合纤维增强复合材料技术,以及先驱体裂解、聚合物浸渍裂解(PIP)、高温烧结等工艺实现了陶瓷材料的3D打印及成形。首先在打印过程中,将增强纤维和陶瓷先驱体基体材料 [详细]
  • 本发明公开了一种可控气孔率的氮化硅多孔陶瓷及制备方法,按重量百分比,包括下述组分:硅粉10~80%、氧化硅10.7~60.7%、烧结助剂5~10%、碳黑4.3~24.3%。烧结助剂选自IIa族氧化物、IIIa族氧化物或稀土元素氧化物的至少一种;将上述粉末湿法混 [详细]
  • 本发明公开了一种基于渗硅氮化制备无晶界相多孔氮化硅陶瓷的方法,按重量百分比,将下述组分:氮化硅93~95wt%、烧结助剂5~7wt%混合,按常规多孔氮化硅的制备工艺获得气孔率为35~55%的多孔氮化硅试样。用氢氟酸、硝酸、硫酸去掉氮化硅中的玻璃 [详细]
  • 本发明公开了一种基于碳热还原制备无晶界相多孔氮化硅陶瓷的方法,首先按重量百分比,将下述组分:氮化硅93~95%、烧结助剂5~7%混合,按常规多孔氮化硅的制备工艺获得气孔率为35-55%的多孔氮化硅试样。用氢氟酸、硝酸、硫酸去掉氮化硅中的玻璃相 [详细]
  • 本发明公开了一种碳化硼基复合陶瓷及其制备方法,按重量百分数,包括下述组分:碳化硼粉末45%~50%、酚醛树脂5%~8%、金属硅42%~50%;上述组分称量后,先用酒精溶解酚醛树脂,并加入碳化硼粉料,机械球磨混合均匀:用造粒机造粒,模压成型所 [详细]
  • 一种碳化钛泡沫陶瓷材料的制备方法,以二氧化钛为钛源,以酚醛树脂为碳源,依次进行聚氨酯泡沫腐蚀处理,二氧化钛粉末与酚醛树脂溶液混合,聚氨酯泡沫在混合溶液中真空浸渍,干燥和烧结,烧结工艺分两步进行低温烧结去除聚氨酯泡沫;高温烧结得到碳 [详细]
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